INFINEON, FF2MR12W3M1HB11BPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF2MR12W3M1HB11BPSA1
  • Order Code3994942

73 377 руб.

73 377 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 73 377 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

73 377 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id400A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00144ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins52Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max125°C
  • Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module