WOLFSPEED, CAS350M12BM3

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerWOLFSPEED
  • Manufacturer Part NoCAS350M12BM3
  • Order Code4258107

119 023 руб.

119 023 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 119 023 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

119 023 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id417A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.004ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module