STARPOWER, MD300HFC170C2S

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoMD300HFC170C2S
  • Order Code3549206

140 109 руб.

140 109 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 140 109 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

140 109 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id484A
  • Drain Source Voltage Vds1.7kV
  • Drain Source On State Resistance0.00333ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins11Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module