FF17MR12W1M1HB70BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF17MR12W1M1HB70BPSA1
- Order Code4216509
20 413 руб.
20 413 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 20 413 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
20 413 ₽
5+
20 107 ₽
10+
19 797 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id50A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0162ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins18Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max150°C
- Product RangeCoolSiC Trench Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)