BSM600D12P4G103 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 567 A, 1.2 kV, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600D12P4G103 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ROHM
  • Manufacturer Part NoBSM600D12P4G103
  • Order Code4168760

139 854 руб.

139 854 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 139 854 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

139 854 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id567A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance-
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins11Pins
  • Rds(on) Test Voltage-
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
  • Power Dissipation1.78kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 567 A, 1.2 kV, Module