ROHM, BSM600D12P3G001

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerROHM
  • Manufacturer Part NoBSM600D12P3G001
  • Order Code3573233

240 850 руб.

240 850 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 240 850 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

240 850 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id600A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance-
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage-
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
  • Power Dissipation2.45kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCLead (23-Jan-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module