INFINEON, FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF2000UXTR33T2M1BPSA1
  • Order Code4574878

918 711 руб.

918 711 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 918 711 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

При заказе более 1 шт., цены обсуждаются в индивидуальном порядке

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id925A
  • Drain Source Voltage Vds3.3kV
  • Drain Source On State Resistance0.0024ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins15Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeXHP 2 Series
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Module