INFINEON, FF8MR12W1M1HB70BPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF8MR12W1M1HB70BPSA1
  • Order Code4313259

18 806 руб.

18 806 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 18 806 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

18 806 ₽

5+

18 253 ₽

10+

17 698 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id100A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0081ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins18Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module