ONSEMI, NXH008T120M3F2PTHG

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH008T120M3F2PTHG
  • Order Code4317991

15 493 руб.

15 493 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 493 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 493 ₽

5+

14 657 ₽

10+

13 820 ₽

50+

13 491 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id129A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0115ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins29Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation371W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module