INFINEON, FF4MR12W2M1HB70BPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF4MR12W2M1HB70BPSA1
  • Order Code4313263

37 608 руб.

37 608 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 37 608 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

37 608 ₽

5+

35 261 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id200A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.004ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins36Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module