STARPOWER, MD300HFR120C2S
Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoMD300HFR120C2S
- Order Code2986057
106 403 руб.
106 403 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 106 403 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
106 403 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:381A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vgs
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id381A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.005ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins-
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised