STARPOWER, MD300HFR120C2S

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoMD300HFR120C2S
  • Order Code2986057

106 403 руб.

106 403 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 106 403 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

106 403 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:381A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vgs

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id381A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.005ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm