TOSHIBA, TW015N120C,S1F(S

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    TOSHIBA
  • Manufacturer Part NoTW015N120C,S1F(S
  • Order Code4049757

8 593 руб.

8 593 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 593 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 593 ₽

5+

7 768 ₽

10+

6 942 ₽

50+

6 804 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id100A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.02ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5V
  • Power Dissipation431W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247