TW015N120C,S1F(S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) TOSHIBA
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerTOSHIBA
- Manufacturer Part NoTW015N120C,S1F(S
- Order Code4049757
12 863 руб.
12 863 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 12 863 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
12 863 ₽
5+
11 627 ₽
10+
10 391 ₽
50+
10 184 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id100A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.02ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins3Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5V
- Power Dissipation431W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised