G3R20MT12N mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) GENESIC SEMICONDUCTOR

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) GENESIC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    GENESIC SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoG3R20MT12N
  • Order Code3598658

7 215 руб.

7 215 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 215 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 215 ₽

5+

7 141 ₽

10+

7 069 ₽

50+

6 995 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id105A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.02ohm
  • Transistor Case StyleSOT-227
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
  • Power Dissipation365W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeG3R
  • SVHCLead (19-Jan-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227