ROHM, SCT3017ALGC11

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ROHM
  • Manufacturer Part NoSCT3017ALGC11
  • Order Code2947063

7 105 руб.

7 105 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 105 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 105 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:118A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vg

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id118A
  • Drain Source Voltage Vds650V
  • Drain Source On State Resistance0.017ohm
  • Transistor Case StyleTO-247N
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
  • Power Dissipation427W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • MSLMSL 1 - Unlimited
  • SVHCLead (23-Jan-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N