QORVO, UF3SC120009K4S

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    QORVO
  • Manufacturer Part NoUF3SC120009K4S
  • Order Code4014251

14 345 руб.

14 345 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 345 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 345 ₽

5+

12 552 ₽

10+

10 401 ₽

50+

9 324 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id120A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0086ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage12V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
  • Power Dissipation789W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247