UF3SC120009K4S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) QORVO
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerQORVO
- Manufacturer Part NoUF3SC120009K4S
- Order Code4014251
22 305 руб.
22 305 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 22 305 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
22 305 ₽
5+
19 517 ₽
10+
16 172 ₽
50+
14 498 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id120A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0086ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins4Pins
- Rds(on) Test Voltage12V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
- Power Dissipation789W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)