DIF120SIC022-AQ mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) DIOTEC

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) DIOTEC DIF120SIC022-AQ фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    DIOTEC
  • Manufacturer Part NoDIF120SIC022-AQ
  • Order Code4552613

13 005 руб.

13 005 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 13 005 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

13 005 

5+

12 224 

10+

11 299 

50+

10 993 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id120A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0223ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4V
  • Power Dissipation340W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB