DIOTEC, DIW120SIC022-AQ

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerDIOTEC
  • Manufacturer Part NoDIW120SIC022-AQ
  • Order Code4552614

8 566 руб.

8 566 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 566 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 566 ₽

5+

8 052 ₽

10+

7 443 ₽

50+

7 241 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id120A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0223ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4V
  • Power Dissipation340W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247