INFINEON, IMYH200R012M1HXKSA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoIMYH200R012M1HXKSA1
  • Order Code4335359

17 515 руб.

17 515 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 17 515 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

17 515 ₽

5+

15 326 ₽

10+

12 699 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id123A
  • Drain Source Voltage Vds2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0165ohm
  • Transistor Case StyleTO-247 Plus
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
  • Power Dissipation552W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeCoolSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus