DIOTEC, DIW120SIC023-AQ

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerDIOTEC
  • Manufacturer Part NoDIW120SIC023-AQ
  • Order Code4552612

11 681 руб.

11 681 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 681 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 681 ₽

5+

10 980 ₽

10+

10 148 ₽

50+

9 873 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id125A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.023ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
  • Power Dissipation600W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247