INFINEON, AIMZHN120R010M1TXKSA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoAIMZHN120R010M1TXKSA1
  • Order Code4335791

6 546 руб.

6 546 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 6 546 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

6 546 ₽

5+

6 017 ₽

10+

5 486 ₽

50+

5 304 ₽

100+

4 937 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id202A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0113ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
  • Power Dissipation750W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeCoolSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247