INFINEON, IMW120R007M1HXKSA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoIMW120R007M1HXKSA1
  • Order Code3958239

9 409 руб.

9 409 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 409 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 409 ₽

5+

8 231 ₽

10+

6 821 ₽

50+

6 115 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id225A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.007ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
  • Power Dissipation750W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeCoolSiC Trench Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247