IMZA120R007M1HXKSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON IMZA120R007M1HXKSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoIMZA120R007M1HXKSA1
  • Order Code3958244

14 172 руб.

14 172 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 172 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

14 172 

5+

12 399 

10+

10 275 

50+

9 211 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id225A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.007ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
  • Power Dissipation750W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeCoolSiC Trench Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB