INFINEON, IMZA120R007M1HXKSA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoIMZA120R007M1HXKSA1
  • Order Code3958244

9 774 руб.

9 774 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 774 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 774 

5+

8 552 

10+

7 087 

50+

6 353 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id225A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.007ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
  • Power Dissipation750W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeCoolSiC Trench Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247