F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Channel, 155 A, 2 kV, 0.0087 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoF3L6MR20W2M1HB70BPSA1
  • Order Code4574241

38 815 руб.

38 815 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 38 815 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

38 815 ₽

5+

36 919 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationThree Level Inverter
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id155A
  • Drain Source Voltage Vds2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0087ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins27Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEasyPACK 2B CoolSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Channel, 155 A, 2 kV, 0.0087 ohm, Module