ROHM, SCT3030KLGC11

Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V

Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerROHM
  • Manufacturer Part NoSCT3030KLGC11
  • Order Code2678784

8 140 руб.

8 140 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 140 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 140 

5+

8 139 

10+

8 137 

50+

8 135 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vgs:5.6V;

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id72A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.03ohm
  • Transistor Case StyleTO-247N
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
  • Power Dissipation339W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • MSLMSL 1 - Unlimited
  • SVHCLead (23-Jan-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V