GD1000HFX170P2S модули igbt STARPOWER
IGBT Module, Half Bridge, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD1000HFX170P2S
- Order Code3549210
97 309 руб.
97 309 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 97 309 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
97 309 ₽
5+
94 034 ₽
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current1.604kA
- DC Collector Current1.604kA
- Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
- Power Dissipation6.25kW
- Power Dissipation Pd6.25kW
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised