GD100HFU120C1S модули igbt STARPOWER
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD100HFU120C1S
- Order Code3549216
16 143 руб.
16 143 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 16 143 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
16 143 ₽
5+
15 337 ₽
10+
14 190 ₽
50+
13 986 ₽
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current200A
- DC Collector Current200A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
- Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
- Power Dissipation1.136kW
- Power Dissipation Pd1.136kW
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Operating Temperature Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)