Модули IGBT STARPOWER GD50FFY120C5S
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD50FFY120C5S
- Order Code3549260
13 092 руб.
13 092 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
13 092 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
13 092 ₽
5+
12 643 ₽
10+
11 674 ₽
50+
11 529 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module — компонент от STARPOWER (арт. GD50FFY120C5S) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Three Phase Full Bridge; ток коллектора: 85A; DC Collector Current: 85A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.7V; рассеиваемая мощность: 292W; Power Dissipation Pd: 292W; Junction Temperature Tj Max: 150°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
- Continuous Collector Current85A
- DC Collector Current85A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
- Power Dissipation292W
- Power Dissipation Pd292W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised