MD120HFR120C2S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
STARPOWER
Manufacturer Part NoMD120HFR120C2S
Order Code2986055

88 528 руб.

88 528 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 88 528 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

88 528 ₽

84 957 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:200A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vgs:

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised

MD120HFR120C2S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 228 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 275 A, 1.2 kV, 0.00505 ohm, ACEPACK DRIVE

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 450 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 280 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 542 A, 1.2 kV, 0.0033 ohm

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 180 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247