MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STARPOWER MD300HFR120B3S

Name: Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
Brand: STARPOWER
SKU: 2986058
Price: 137796 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STARPOWER MD300HFR120B3S фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
STARPOWER
Manufacturer Part NoMD300HFR120B3S
Order Code2986058

137 796 руб.

137 796 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

137 796 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

137 796 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm — профессиональный разъём от STARPOWER (арт. MD300HFR120B3S) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id381A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STARPOWER MD300HFR120B3S

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module