MD30FSR120L2SF mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STARPOWER MD30FSR120L2SF фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoMD30FSR120L2SF
  • Order Code3549207

41 362 руб.

41 362 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 41 362 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

41 362 

5+

38 880 

10+

35 936 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeSix N Channel
  • Continuous Drain Current Id49A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.04ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins23Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
  • Power Dissipation203W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB