MD400HFR120C2S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 542 A, 1.2 kV, 0.0033 ohm

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
STARPOWER
Manufacturer Part NoMD400HFR120C2S
Order Code2986059

218 710 руб.

218 710 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 218 710 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

218 710 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:542A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vg

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id542A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised

MD400HFR120C2S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 542 A, 1.2 kV, 0.0033 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 93 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

MOSFET MODULE, SIC, 900V, 149A

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 395 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 228 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Dual N Channel, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, Module