MD40HFC120C2S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STARPOWER MD40HFC120C2S фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoMD40HFC120C2S
  • Order Code4543878

218 318 руб.

218 318 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 218 318 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

218 318 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id526A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0052ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins11Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
  • Power Dissipation2.142kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB