A1F25M12W2-F1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STMICROELECTRONICS

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS A1F25M12W2-F1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STMICROELECTRONICS
  • Manufacturer Part NoA1F25M12W2-F1
  • Order Code4229252

37 879 руб.

37 879 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 37 879 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

37 879 ₽

5+

37 178 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFourPack
  • Channel TypeFour N Channel
  • Continuous Drain Current Id50A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.025ohm
  • Transistor Case StyleACEPACK 1
  • No. of Pins22Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1