MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS A1F25M12W2-F1

Name: Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 4229252
Price: 38026 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS A1F25M12W2-F1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Manufacturer Part NoA1F25M12W2-F1
Order Code4229252

38 026 руб.

38 026 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

38 026 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

38 026 ₽

37 322 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1 — компонент от STMICROELECTRONICS (арт. A1F25M12W2-F1) для управления электрическими сигналами и коммутации в электронных схемах. Категория: MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC). Области применения: силовая электроника, автоматизация, радиоэлектронная аппаратура. Технические характеристики: MOSFET Module Configuration: FourPack; Channel Type: Four N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; Drain Source On State Resistance: 0.025ohm; корпус: ACEPACK 1; выводов: 22Pins; Rds(on) Test Voltage: 18V. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleACEPACK 1
No. of Pins22Pins

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS A1F25M12W2-F1

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module