ADP360120W3 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STMICROELECTRONICS

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS ADP360120W3 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STMICROELECTRONICS
  • Manufacturer Part NoADP360120W3
  • Order Code4122372

537 699 руб.

537 699 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 537 699 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB

При заказе более 1 шт., цены обсуждаются в индивидуальном порядке

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSixPack
  • Channel TypeSix N Channel
  • Continuous Drain Current Id379A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00255ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins30Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation704W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeAcepack Drive Series
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB