MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS ADP480120W3-L

Name: Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 4558118
Price: 269514 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS ADP480120W3-L фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Manufacturer Part NoADP480120W3-L
Order Code4558118

269 514 руб.

269 514 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

269 514 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

269 514 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE — компонент от STMICROELECTRONICS (арт. ADP480120W3-L) для управления электрическими сигналами и коммутации в электронных схемах. Категория: MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC). Области применения: силовая электроника, автоматизация, радиоэлектронная аппаратура. Технические характеристики: MOSFET Module Configuration: SixPack; Channel Type: N Channel; Continuous Drain Current Id: 488A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; Drain Source On State Resistance: 0.0026ohm; корпус: ACEPACK DRIVE; выводов: 30Pins; Rds(on) Test Voltage: 18V. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id488A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleACEPACK DRIVE
No. of Pins30Pins

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation869W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS ADP480120W3-L

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module