TW015Z120C,S1F(S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) TOSHIBA
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerTOSHIBA
- Manufacturer Part NoTW015Z120C,S1F(S
- Order Code4247119
10 667 руб.
10 667 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 10 667 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
10 667 ₽
5+
10 407 ₽
10+
10 146 ₽
50+
9 885 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id100A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.015ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins4Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5V
- Power Dissipation431W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised