C3M0016120K mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) WOLFSPEED

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
WOLFSPEED
Manufacturer Part NoC3M0016120K
Order Code3212276

16 728 руб.

16 728 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 16 728 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

16 728 ₽

15 747 ₽

10+

14 765 ₽

50+

14 469 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:15V; Threshold Voltage Vg

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0223ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins

Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeC3M
SVHCTo Be Advised

C3M0016120K mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) WOLFSPEED

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, ACEPACK 2

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.0075 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 124 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 375 A, 1.2 kV, 0.00283 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module