MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED C3M0016120K

Name: Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
Brand: WOLFSPEED
SKU: 3212276
Price: 17216 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED C3M0016120K фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
WOLFSPEED
Manufacturer Part NoC3M0016120K
Order Code3212276

17 216 руб.

17 216 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

17 216 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

17 216 ₽

16 208 ₽

10+

15 196 ₽

50+

14 892 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247 — профессиональный разъём от WOLFSPEED (арт. C3M0016120K) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: C3M; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0223ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins

Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeC3M
SVHCTo Be Advised

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED C3M0016120K

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module