MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED CAB425M12XM3

Name: Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 450 A, 1.2 kV, 0.0032 ohm, Module
Brand: WOLFSPEED
SKU: 3369509
Price: 200856 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 450 A, 1.2 kV, 0.0032 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED CAB425M12XM3 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
WOLFSPEED
Manufacturer Part NoCAB425M12XM3
Order Code3369509

200 856 руб.

200 856 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

200 856 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

200 856 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 450 A, 1.2 kV, 0.0032 ohm, Module — компонент от WOLFSPEED (арт. CAB425M12XM3) для управления электрическими сигналами и коммутации в электронных схемах. Категория: MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC). Области применения: силовая электроника, автоматизация, радиоэлектронная аппаратура. Технические характеристики: MOSFET Module Configuration: Half Bridge; Channel Type: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 450A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; Drain Source On State Resistance: 0.0032ohm; корпус: Module; Rds(on) Test Voltage: 15V; Gate Source Threshold Voltage Max: 2.5V. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id450A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0032ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED CAB425M12XM3

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module