MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED CAS120M12BM2

Name: Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module
Brand: WOLFSPEED
SKU: 2630836
Price: 126496 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED CAS120M12BM2 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
WOLFSPEED
Manufacturer Part NoCAS120M12BM2
Order Code2630836

126 496 руб.

126 496 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

126 496 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

126 496 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module — профессиональный разъём от WOLFSPEED (арт. CAS120M12BM2) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id193A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) WOLFSPEED CAS120M12BM2

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module