CCS020M12CM2 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) WOLFSPEED

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 29.5 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
WOLFSPEED
Manufacturer Part NoCCS020M12CM2
Order Code2449317

65 880 руб.

65 880 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 65 880 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

65 880 ₽

64 893 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:Six N Channel; Continuous Drain Current Id:29.5A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeSix N Channel
Continuous Drain Current Id29.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins28Pins

Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)

CCS020M12CM2 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) WOLFSPEED

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 29.5 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 404 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Module

MOSFET MODULE, SIC, 900V, 149A

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 275 A, 1.2 kV, 0.00505 ohm, ACEPACK DRIVE

Silicon Carbide MOSFET, 6 Pack, Half Bridge, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module