INFINEON, FP100R12KT4PBPSA1

IGBT Module, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module

IGBT Module, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFP100R12KT4PBPSA1
  • Order Code2781239

22 021 руб.

22 021 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 22 021 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

22 021 

5+

20 608 

10+

19 195 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:515W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist

Техническая спецификация

  • IGBT Configuration-
  • Continuous Collector Current100A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation515W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoPIM 3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module