INFINEON, FF800R17KE3NOSA1

IGBT Module, Dual, 1.15 kA, 2 V, 4.45 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.15 kA, 2 V, 4.45 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF800R17KE3NOSA1
  • Order Code2839510

128 479 руб.

128 479 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 128 479 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

128 479 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1.15kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:4.45kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Trans

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current1.15kA
  • Continuous Collector Current1.15kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation4.45kW
  • Power Dissipation Pd4.45kW
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 1.15 kA, 2 V, 4.45 kW, 125 °C, Module