INFINEON, FF1400R12IP4BOSA1

IGBT Module, Dual, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF1400R12IP4BOSA1
  • Order Code2776812

88 050 руб.

176 100 руб. всего

Минимальный заказ от 2 штук

Оставить запрос

→ 2 шт. на сумму 176 100 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

2+

88 050 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1.4kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:7.65kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current1.4kA
  • Continuous Collector Current1.4kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Power Dissipation Pd7.65kW
  • Power Dissipation7.65kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module