Модули IGBT STARPOWER GD1400HFX170P2S
IGBT Module, Half Bridge, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD1400HFX170P2S
- Order Code3549224
132 842 руб.
132 842 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
132 842 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
132 842 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Half Bridge, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module — компонент от STARPOWER (арт. GD1400HFX170P2S) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Half Bridge; DC Collector Current: 2.342kA; ток коллектора: 2.342kA; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.95V; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.95V; Power Dissipation Pd: 9.37kW; рассеиваемая мощность: 9.37kW; макс. рабочая температура: 150°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- DC Collector Current2.342kA
- Continuous Collector Current2.342kA
- Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
- Power Dissipation Pd9.37kW
- Power Dissipation9.37kW
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised