INFINEON, FF1400R17IP4BOSA1

IGBT Module, Dual, 1.4 kA, 1.75 V, 9.55 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

ManufacturerINFINEON
Manufacturer Part NoFF1400R17IP4BOSA1
Order Code2726117

101 634 руб.

203 268 руб. всего

Минимальный заказ от 2 штук

Оставить запрос

→ 2 шт. на сумму 203 268 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

101 634 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1.4kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:9.55kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Tran

Техническая спецификация

Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current1.4kA
DC Collector Current1.4kA
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd9.55kW
Power Dissipation9.55kW
Junction Temperature Tj Max150°C

Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangePrimePACK 3
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

INFINEON, FF1400R17IP4BOSA1

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 1.4 kA, 1.75 V, 9.55 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.95 V, 600 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 890 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 951 A, 1.7 V, 3.1 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK

IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 105 A, 1.7 V, 350 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Single, 2.4 kA, 1.85 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 450 A, 1.95 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Sixpack, Six Pack [Full Bridge], 50 A, 1.85 V, 280 W, Module

IGBT Module, Single, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM, 50 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Module