INFINEON, FF100R12KS4HOSA1

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF100R12KS4HOSA1
  • Order Code2726115

15 206 руб.

15 206 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 206 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 206 

5+

14 642 

10+

14 079 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:780W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current150A
  • Continuous Collector Current150A
  • Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
  • Power Dissipation Pd780W
  • Power Dissipation780W
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range62mm C
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module