INFINEON, FF100R12KS4HOSA1
IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF100R12KS4HOSA1
- Order Code2726115
15 206 руб.
15 206 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 15 206 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
15 206 ₽
5+
14 642 ₽
10+
14 079 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:780W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current150A
- Continuous Collector Current150A
- Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
- Power Dissipation Pd780W
- Power Dissipation780W
- Operating Temperature Max125°C
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
- Transistor MountingPanel
- Product Range62mm C
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)