INFINEON, FF150R12KE3GHOSA1
IGBT Module, Dual, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF150R12KE3GHOSA1
- Order Code2726118
13 872 руб.
13 872 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 13 872 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
13 872 ₽
5+
13 297 ₽
10+
12 721 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:780W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current225A
- Continuous Collector Current225A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
- Power Dissipation Pd780W
- Power Dissipation780W
- Operating Temperature Max125°C
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range62mm C
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)