INFINEON, FF150R12KE3GHOSA1

IGBT Module, Dual, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF150R12KE3GHOSA1
  • Order Code2726118

13 872 руб.

13 872 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 13 872 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

13 872 

5+

13 297 

10+

12 721 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:780W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current225A
  • Continuous Collector Current225A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Power Dissipation Pd780W
  • Power Dissipation780W
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range62mm C
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module