INFINEON, FF150R12MS4GBOSA1

IGBT Module, Dual, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF150R12MS4GBOSA1
  • Order Code2839507

16 801 руб.

16 801 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 16 801 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

16 801 

5+

16 087 

10+

15 436 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current225A
  • Continuous Collector Current225A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
  • Power Dissipation1.25kW
  • Power Dissipation Pd1.25kW
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module