INFINEON, FF150R12MS4GBOSA1
IGBT Module, Dual, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF150R12MS4GBOSA1
- Order Code2839507
16 801 руб.
16 801 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 16 801 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
16 801 ₽
5+
16 087 ₽
10+
15 436 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current225A
- Continuous Collector Current225A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
- Power Dissipation1.25kW
- Power Dissipation Pd1.25kW
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Operating Temperature Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoDUAL 3
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)